Substrat Wafer Kuarza
Substrat Wafer Kuarza ialah wafer yang diperbuat terutamanya daripada kuarza -ketulenan tinggi (SiO₂), digunakan secara meluas dalam semikonduktor, optoelektronik, mikro-sistem elektromekanikal (MEMS), peranti optik dan medan lain.
Description/kawalan
Sifat Bahan
- Ketulenan Tinggi:Lazimnya diperbuat daripada kuarza sintetik (cth, silika bercantum), dengan ketulenan yang sangat tinggi ( Lebih daripada atau sama dengan 99.99%) dan kekotoran yang minimum untuk mengelakkan menjejaskan prestasi peranti.
- Kestabilan Terma:Pekali pengembangan terma rendah (≈0.55×10⁻⁶/ darjah ) dan-rintangan suhu tinggi (takat lembut ~1600 darjah ), sesuai untuk proses suhu-tinggi.
- Prestasi Optik:Julat penghantaran yang luas (UV ke IR), dengan penghantaran UV yang luar biasa, sesuai untuk topeng foto, kanta, dll.
- Kelalaian kimia:Tahan kepada asid dan alkali (kecuali asid hidrofluorik), sesuai untuk proses etsa basah.
- Penebat Elektrik:High resistivity (>10¹⁶ Ω·cm), sesuai untuk substrat penebat atau peranti-berfrekuensi tinggi.
Aplikasi
Pembuatan Semikonduktor
- Substrat Photomask
- Komponen litografi EUV
- Pembawa pemprosesan wafer
Fotonik & Optoelektronik
- Substrat pandu gelombang optik
- Pemasangan diod laser
- Komponen pengkomputeran kuantum
Aplikasi Khusus
- Pangkalan resonator MEMS
- Optik teleskop angkasa
- Sistem laser tenaga tinggi-
Proses Pembuatan
- Sintesis Bahan Mentah:Dihasilkan melalui pemendapan wap (cth, pengoksidaan SiCl₄) atau penulenan kuarza asli.
- Pencairan dan Pembentukan:Pencairan suhu tinggi-diikuti dengan penyejukan ke dalam jongkong atau lukisan terus ke dalam rod.
- Memotong:Dihiris menjadi wafer nipis menggunakan gergaji dawai berlian atau pemotongan laser.
- Pengisaran dan Penggilap:Penggilapan mekanikal kimia (CMP) mencapai kelicinan tahap- nanometer.
- Pembersihan dan Pemeriksaan:Penyingkiran zarah dan bahan cemar logam, diikuti dengan ujian kecacatan dan parameter.
Hartanah
|
Sifat Fizikal |
Nilai |
|
Kesucian |
＞99.99% |
|
Ketumpatan |
2.2g/sm3 |
|
Ketelusan |
＞90% |
|
Kekerasan Mohs |
5.5--6.5 |
|
Titik Ubah Bentuk |
1280 darjah |
|
Titik Lembut |
1750 darjah |
|
Titik Penyepuhlindapan |
1250 darjah |
|
Haba Tertentu (20 - 350 darjah ) |
670J/kg. ijazah |
|
Kekonduksian Terma (20 darjah ) |
1.4W/m. ijazah |
|
Kekonduksian Haba (w/mk, 1000 darjah ) |
1.0-1.2 |
|
Indeks Biasan |
1.4585 |
|
Pekali Pengembangan Terma |
5.510 -7cm/cm. ijazah |
|
Suhu kerja - panas |
1750--2050 darjah |
|
Jangka pendek - Suhu Perkhidmatan |
1450 darjah |
|
Suhu Perkhidmatan jangka - panjang |
1100 darjah |
|
Sifat Kimia |
Nilai |
|
Tahan asid |
Asid Kuat (kecuali HF), Alkali kuat, larutan organik |
|
Suhu tinggi Tahan kakisan |
Cemerlang |
|
Kandungan Kekotoran Logam |
＜5 ppm |
|
Sifat Elektrik |
Nilai |
|
Kerintangan |
7107Ω.cm |
|
Kekuatan Penebat |
250~400Kv/sm |
|
Pemalar Dielektrik |
3.7~3.9 |
|
Pekali Serapan Dielektrik |
＜410-4 |
|
Pekali Kehilangan Dielektrik |
＜110-4 |
|
Sifat Mekanikal |
Nilai |
|
Kekuatan Mampatan |
1100MPa |
|
Kekuatan Lentur |
67MPa |
|
Kekuatan Tegangan |
48MPa |
|
Nisbah Poisson |
0.14~0.17 |
|
Modulus Muda |
72000MPa |
|
Modulus Ricih |
31000MPa |
Soalan Lazim
S1: Apakah saiz substrat wafer kuarza maksimum yang tersedia?
A: Pengeluaran standard sehingga diameter 300mm, dengan prototaip 450mm tersedia untuk R&D.
S2: Bolehkah anda menyediakan profil ketebalan tersuai?
J: Ya - kami boleh menghasilkan:
- Wafer berjepit (untuk aplikasi laser)
- Reka bentuk tirus ketepatan
- Mesa-permukaan berstruktur
S3: Apakah protokol pembersihan yang anda cadangkan?
A: Proses pembersihan RCA standard:
1. Penyingkiran organik (H₂SO₄:H₂O₂)
2. Pembersihan ionik (HCl:H₂O₂)
3. HF-tahan untuk permukaan hidrofilik
Cool tags: substrat wafer kuarza, pengeluar substrat wafer kuarza China, pembekal, kilang
Hantar pertanyaan
Anda mungkin juga berminat
